多晶矽生產設備清洗的（de）意義

多晶矽按不同的用途可分為太陽能級多晶矽和電子級多晶矽兩類。太陽（yáng）能級多晶（jīng）矽的（de）純（chún）度一般在5～7N，主（zhǔ）要（yào）雜質為Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 等，金屬雜質總含量≤0.2(太陽能三級（jí）品要求（qiú）)。電子級多（duō）晶矽一般含Si＞99.9999%以上（shàng），超高純達到99.9999999%～99.999999999%，即9～11N，其導電性為10- 4～1010Ω·cm，碳濃度＜2×1016at·cm- 3。

油脂、水分（fèn）、氯離子殘留、金屬氧化物、氯（lǜ）化物、灰塵及其他雜質，對多晶矽的純度影響極大。在多晶矽設備製（zhì）造、安裝和多晶矽生產（chǎn）過程中清洗是十分重要的部分，要按多晶矽生產（chǎn）工藝，對不（bú）同潔淨度要求、不同材質的設備采用不同的清洗方法。'
 
多晶矽設備的清洗的不同（tóng）階（jiē）段：

1、設備製造階段的清洗

金（jīn）屬設（shè）備及（jí）管道、零件需要在除漆前將表麵的氧化皮和鐵鏽除掉，設（shè）備內（nèi）部（bù）的油脂、軋製鱗片、鏽皮等也需要進行清洗。

2、多晶矽設備安裝階（jiē）段的清潔

由於工藝管道（dào）輸送的（de）介質特性及（jí）產品純度要求，對管道（dào）的焊接質量及內部清潔、吹掃試壓（yā）均有較高要求，對設備進場驗收、檢（jiǎn）驗（yàn）及安裝、內部處理也有較高要求（qiú），因此設備製（zhì）造結束後的清洗處理至關重要。在裝置進（jìn）行試生產前期，係統注入四（sì）氯化矽進行循環清洗約2～3個月，時間的長短取決（jué）於設備前期清洗（xǐ）情況。

3、多（duō）晶矽設備生產期間的清洗

還原爐和氫化爐是改良西門子法生產多晶矽的核心設備，其運（yùn）行好壞直接（jiē）影響多晶矽質量及生產成本。多晶矽生產對還（hái）原爐的沉積環境的（de）潔淨度要求（qiú）特（tè）別關鍵，任何顆粒性雜質、油脂等物質餘留在爐（lú）內，都會對產品質量造（zào）成影響。北京TXVLOG糖心短视频网站潔清（qīng）潔設備有限公司經過研發設計並製造出了多晶矽自動化（huà）還原爐鍾罩清洗係統，可以完全（quán）將（jiāng）多晶矽還原爐鍾罩清洗幹淨，滿足生產需（xū）求。

TXVLOG糖心短视频网站潔電子級多晶矽（guī）還原爐鍾罩清洗係統（tǒng）包括低壓熱水清洗動力裝置、三維洗罐器、旋轉和升降執行機構、清洗工作台、萬級（jí）淨化幹燥係統、循（xún）環過濾係統、控製裝置、微負壓係統、清洗工作台、電（diàn）氣控製係統等，係統實現了鍾罩的（de）全自動清洗和烘幹操作。
 
電子級多晶矽還原爐（lú）鍾罩自（zì）動清洗係統特（tè）點：以水力（lì）自驅動三維（wéi）洗罐器為噴頭，形成360° 3D形式的網狀噴（pēn）射來完成爐筒（tǒng）內部表麵的（de）水（shuǐ）力掃射。配以旋轉和升降的清洗吹幹執行機構（gòu），準確定位。操作簡單（dān）方便，係統控製，清洗、吹幹自行調整。不僅可以（yǐ）滿足對內壁和視孔鏡的清洗，同時也滿足了底（dǐ）部法蘭的清洗。

在整個還原爐的清洗過程中，清洗、幹燥中筒（tǒng）內形成微負壓狀態，防止清洗外溢，同時將底座與筒體下法（fǎ）蘭（lán）處的汙染物等一並吹掃（sǎo），通過排汙管排（pái）出，從而保（bǎo）證了整個（gè）過程不會對潔淨（jìng）區（qū）造成汙染。

生產多晶矽的工（gōng）藝複雜，設備清洗是可以降低能耗保證（zhèng）多（duō）晶矽產品質量的。多晶（jīng）矽生產企業對設備（bèi）須從選型、選材、清洗等方麵進行合理、科學的管理，應用現（xiàn）代技術，進行全程清洗，以充分發揮設備功效，為（wéi）安全、高效生產創造條件（jiàn）。